1، د فوتوولټیک پای غوښتنه: د فوتوولټیک نصب شوي ظرفیت غوښتنه قوي ده ، او د پولیسیلیکون غوښتنه د نصب شوي ظرفیت وړاندوینې پراساس بدلیږي
1.1.د پولیسیلیکون مصرف: نړیوالد مصرف حجم په ثابت ډول وده کوي، په عمده توګه د فوټوولټیک بریښنا تولید لپاره
په تیرو لسو کلونو کې، نړیوالپولیسیلیکونمصرف په دوامداره توګه لوړ شوی، او د چین تناسب پراختیا ته دوام ورکړی، د فوتوولټیک صنعت لخوا رهبري کیږي.له 2012 څخه تر 2021 پورې، د نړیوال پولیسیلیکون مصرف په عموم ډول لوړ شوی، د 237,000 ټنو څخه شاوخوا 653,000 ټنو ته لوړ شوی.په 2018 کې، د چین د 531 فوتوولټیک نوې پالیسي معرفي شوه، کوم چې په ښکاره توګه د فوتوولټیک بریښنا تولید لپاره د سبسایډي کچه راټیټه کړه.د نوي نصب شوي فوټوولټیک ظرفیت په کال کې 18٪ کم شوی، او د پولیسیلیکون غوښتنه اغیزمنه شوې.د 2019 راهیسې، ایالت د فوتوولټیکونو د شبکې برابرۍ ته وده ورکولو لپاره یو شمیر پالیسۍ معرفي کړې.د فوتوولټیک صنعت ګړندی پرمختګ سره ، د پولیسیلیکون غوښتنه هم د ګړندي ودې دورې ته ننوتلې.په دې موده کې، په ټوله نړۍ کې د چین د پولیسیلیکون مصرف تناسب په 2012 کې له 61.5٪ څخه په 2021 کې 93.9٪ ته لوړ شوی، په عمده توګه د چین د فوټوولټیک صنعت د چټک پرمختګ له امله.په 2021 کې د مختلف ډوله پولیسیلیکون نړیوال مصرف نمونې له نظره ، د فوتوولټیک حجرو لپاره کارول شوي سیلیکون توکي به لږترلږه 94٪ حساب کړي ، چې له دې څخه د سولر درجې پولیسیلیکون او ګرانولر سیلیکون په ترتیب سره 91٪ او 3٪ جوړوي. د بریښنایی درجې پولیسیلیکون چې د چپس حسابونو لپاره د 94٪ لپاره کارول کیدی شي.تناسب 6٪ دی، کوم چې ښیي چې د پولیسیلیکون اوسنی تقاضا د فوتوولټیک لخوا تسلط لري.تمه کیږي چې د دوه ګوني کاربن پالیسۍ تودوخې سره ، د فوتوولټیک نصب شوي ظرفیت غوښتنه به قوي شي ، او د سولر درجې پولیسیلیکون مصرف او تناسب به دوام ومومي.
1.2.سیلیکون ویفر: مونوکریسټالین سیلیکون ویفر اصلي جریان نیسي ، او دوامداره Czochralski ټیکنالوژي په چټکۍ سره وده کوي
د پولیسیلیکون مستقیم لاندې لینک د سیلیکون ویفرونه دي ، او چین دا مهال د نړیوال سیلیکون ویفر بازار کې تسلط لري.له 2012 څخه تر 2021 پورې ، د نړیوال او چینایي سیلیکون ویفر تولید ظرفیت او محصول لوړیدو ته دوام ورکړ ، او د فوتوولټیک صنعت وده ته دوام ورکړ.د سیلیکون ویفرونه د سیلیکون موادو او بیټرۍ سره وصل کولو پل په توګه کار کوي ، او د تولید ظرفیت باندې هیڅ بار نلري ، نو دا صنعت ته د ننوتلو لپاره د لوی شمیر شرکتونو راجلبولو ته دوام ورکوي.په 2021 کې ، د چین سیلیکون ویفر جوړونکو د پام وړ پراخه شوېتولید213.5GW تولید ته ظرفیت، کوم چې د نړیوال سیلیکون ویفر تولید 215.4GW ته لوړ کړی.په چين کې د شته او نویو توليدي ظرفيت له مخې، تمه کېږي چې په راتلونکو څو کلونو کې به د کلنۍ ودې کچه له ١٥ څخه تر ٢٥ سلنې پورې وساتل شي او د چين د ويفرو توليد به لا هم په نړۍ کې يو مطلق غالب مقام وساتي.
پولی کریسټالین سیلیکون د پولی کریسټالین سیلیکون انګوټس یا مونوکریسټالین سیلیکون راډونو کې جوړ کیدی شي.د پولی کریسټالین سیلیکون انګاټونو تولید پروسې کې په عمده ډول د کاسټ کولو میتود او مستقیم خټکي میتود شامل دي.په اوس وخت کې، دوهم ډول اصلي میتود دی، او د ضایع کچه اساسا په 5٪ کې ساتل کیږي.د کاسټ کولو طریقه په عمده توګه دا ده چې لومړی په کروسیبل کې سیلیکون مواد وخورئ، او بیا یې د یخولو لپاره په بل ګرم شوي کروسیبل کې واچوئ.د یخولو نرخ کنټرولولو سره ، پولی کریسټالین سیلیکون انګوټ د سمتي ټینګولو ټیکنالوژۍ لخوا اچول کیږي.د مستقیم خټکي میتود د ګرم کولو پروسه د کاسټ کولو میتود سره ورته ده ، په کوم کې چې پولیسیلیکون په مستقیم ډول په کروسیبل کې مینځل کیږي ، مګر د یخ کولو مرحله د کاسټ کولو میتود څخه توپیر لري.که څه هم دواړه میتودونه په طبیعت کې خورا ورته دي ، د مستقیم خټکي میتود یوازې یو کروسیبل ته اړتیا لري ، او تولید شوي پولیسیلیکون محصول د ښه کیفیت لرونکي دی ، کوم چې د غوره لید سره د پولی کریسټالین سیلیکون انګاټونو ودې لپاره مناسب دی ، او د ودې پروسه اسانه ده. اتومات ، کوم چې کولی شي د کرسټال غلطی کمولو داخلي موقعیت رامینځته کړي.اوس مهال، د لمریزې انرژۍ د موادو صنعت کې مخکښې تصدۍ عموما د پولی کریسټالین سیلیکون انګاټونو جوړولو لپاره د مستقیم خټکي میتود کاروي، او د کاربن او اکسیجن مینځپانګه نسبتا ټیټه ده، کوم چې د 10ppma او 16ppma لاندې کنټرول کیږي.په راتلونکي کې، د پولی کریسټالین سیلیکون انګاټونو تولید به لاهم د مستقیم خټکي میتود لخوا تسلط ولري، او د ضایع کیدو کچه به په پنځو کلونو کې شاوخوا 5٪ پاتې شي.
د مونوکریسټالین سیلیکون راډونو تولید اساسا د Czochralski میتود پراساس دی ، د عمودی تعلیق زون خټکي میتود لخوا ضمیمه شوی ، او د دواړو لخوا تولید شوي محصولات مختلف کارونې لري.د Czochralski میتود په مستقیم ټیوب حرارتي سیسټم کې د لوړ پاکوالي کوارټز کروسیبل کې د پولی کریسټالین سیلیکون تودوخې لپاره د ګرافیت مقاومت کاروي ، بیا یې د فیوژن لپاره د خټکي سطح ته د تخم کرسټال داخل کړئ ، او د تخم کرسټال د بدلولو پرمهال وګرځوئ. صلیب وړد تخم کرسټال ورو ورو پورته پورته کیږي، او مونوکریسټالین سیلیکون د تخم د کرلو، امپلیفیکیشن، اوږو بدلولو، مساوي قطر وده، او پای ته رسولو له لارې ترلاسه کیږي.د عمودی فلټینګ زون خټکی میتود د فرنس په چیمبر کې د کالم لوړ پاکوالي پولی کریسټالین موادو فکس کولو ته راجع کیږي ، د فلزي کویل په ورو ورو د پولی کریسټالین اوږدوالي سره حرکت کوي او د کالم پولی کریسټالین څخه تیریږي ، او په فلز کې د لوړ بریښنا راډیو فریکوینسي جریان تیریږي. کویل د پولی کریسټالین ستنې د کویل دننه برخه مینځ ته راوړي ، او وروسته له دې چې کویل حرکت وکړي ، خټکي د یو واحد کرسټال رامینځته کولو لپاره بیا کرسټال کیږي.د مختلف تولید پروسو له امله، د تولید تجهیزاتو، د تولید لګښتونو او د محصول کیفیت کې توپیر شتون لري.اوس مهال، د زون خټکي میتود لخوا ترلاسه شوي محصولات لوړ پاکوالی لري او د سیمیکمډکټر وسیلو جوړولو لپاره کارول کیدی شي، پداسې حال کې چې د Czochralski میتود کولی شي د فوتوولټیک حجرو لپاره د واحد کرسټال سیلیکون تولید شرایط پوره کړي او ټیټ لګښت لري، نو دا دی. اصلي طريقه.په 2021 کې ، د مستقیم پل میتود بازار برخه شاوخوا 85٪ ده ، او تمه کیږي چې په راتلونکو څو کلونو کې به یو څه وده وکړي.په 2025 او 2030 کې د بازار ونډې په ترتیب سره 87٪ او 90٪ اټکل کیږي.د ولسوالۍ د واحد کرسټال سیلیکون خړوبولو شرایطو کې ، د ولسوالۍ د واحد کرسټال سیلیکون خټکي صنعت غلظت په نړۍ کې نسبتا لوړ دی.استملاک)، TOPSIL (ډنمارک).په راتلونکي کې، د واحد کرسټال سیلیکون د تولید اندازه به د پام وړ زیاتوالی ونلري.لامل يې دا دی چې د چين اړوند تخنيکونه د جاپان او جرمني په پرتله په نسبي توګه شاته دي، په تېره بيا د لوړ فريکونسۍ تودولو وسايلو او د کرسټاليزيشن د پروسې شرايط.د لوی قطر په ساحه کې د فیوز شوي سیلیکون واحد کرسټال ټیکنالوژي چینایي تصدۍ ته اړتیا لري چې پخپله سپړلو ته دوام ورکړي.
د Czochralski طریقه په دوامداره کرسټال ایستلو ټیکنالوژۍ (CCZ) او د تکرار کرسټال ایستلو ټیکنالوژۍ (RCZ) ویشل کیدی شي.په اوس وخت کې، په صنعت کې اصلي میتود RCZ دی، کوم چې د RCZ څخه CCZ ته د لیږد په مرحله کې دی.د RZC واحد کرسټال ایستل او تغذیه مرحلې له یو بل څخه خپلواک دي.د هر کیچ کولو دمخه، یو واحد کرسټال انګوټ باید د دروازې په خونه کې سړه او لیرې شي، پداسې حال کې چې CCZ کولی شي د ایستلو په وخت کې تغذیه او خټکي احساس کړي.RCZ نسبتا بالغ دی، او په راتلونکي کې د تخنیکي پرمختګ لپاره لږ ځای شتون لري؛پداسې حال کې چې CCZ د لګښت کمولو او د موثریت ښه کولو ګټې لري، او د چټک پرمختګ په مرحله کې دی.د لګښت په نظر کې نیولو سره، د RCZ په پرتله، چې د یو واحد راډ له مینځه وړلو څخه شاوخوا 8 ساعته وخت نیسي، CCZ کولی شي د تولید موثریت خورا ښه کړي، د دې مرحلې په له منځه وړلو سره د پام وړ لګښت او د انرژۍ مصرف کم کړي.د واحد فرنس ټول تولید د RCZ په پرتله 20٪ ډیر دی.د تولید لګښت د RCZ په پرتله د 10٪ څخه ډیر ټیټ دی.د موثریت په شرایطو کې، CCZ کولی شي د 8-10 واحد کرسټال سیلیکون راډونو انځور د کراسبل د ژوند دورې (250 ساعتونو) کې بشپړ کړي، پداسې حال کې چې RCZ کولی شي یوازې 4 بشپړ کړي، او د تولید موثریت د 100-150٪ لخوا لوړ کیدی شي. .د کیفیت په شرایطو کې، CCZ ډیر یونیفورم مقاومت لري، د اکسیجن ټیټ مینځپانګه، او د فلزي ناپاکۍ ورو ورو راټولول، نو دا د n-ډول واحد کرسټال سیلیکون ویفرونو چمتو کولو لپاره خورا مناسب دی، کوم چې د چټک پرمختګ په دوره کې هم دي.په اوس وخت کې، ځینو چینایي شرکتونو اعلان کړی چې دوی د CCZ ټیکنالوژي لري، او د ګرانولر سیلیکون-CCZ-n-ډول مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو لاره اساسا روښانه ده، او حتی د 100٪ دانه سیلیکون موادو کارول یې پیل کړي دي..په راتلونکي کې، CCZ به اساسا د RCZ ځای ونیسي، مګر دا به یو مشخص بهیر ونیسي.
د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو تولید پروسه په څلورو مرحلو ویشل شوې: ایستل ، ټوټه کول ، ټوټه کول ، پاکول او ترتیب کول.د الماس تار د ټوټې کولو میتود راڅرګندیدو د ټوټې کولو د ضایع کیدو کچه خورا کمه کړې.د کرسټال ایستلو پروسه پورته تشریح شوې.د ټوټې کولو په پروسه کې د قطع کولو، مربع کولو، او د چیمفرینګ عملیات شامل دي.ټوټه کول د سلینګ ماشین کارول دي ترڅو د کالم سیلیکون سیلیکون ویفرونو ته پرې کړي.پاکول او ترتیب کول د سیلیکون ویفرونو په تولید کې وروستي ګامونه دي.د الماس د تار ټوټې کولو طریقه د دودیز هاوان تار ټوټې کولو میتود په پرتله ښکاره ګټې لري، کوم چې په عمده توګه د لنډ وخت مصرف او ټیټ ضایع منعکس کیږي.د الماس تار سرعت د دودیز پرې کولو په پرتله پنځه چنده دی.د مثال په توګه، د واحد ویفر پرې کولو لپاره، د دودیز هاوان تار پرې کول شاوخوا 10 ساعته وخت نیسي، او د الماس تار پرې کول یوازې 2 ساعته وخت نیسي.د الماس د تار پرې کولو زیان هم نسبتا کوچنی دی، او د الماس تار پرې کولو له امله د زیان پرت د هاوان تار پرې کولو په پرتله کوچنی دی، کوم چې د پتلی سیلیکون ویفرونو پرې کولو لپاره مناسب دی.په وروستي کلونو کې، د ضایعاتو کمولو او د تولید لګښتونو کمولو لپاره، شرکتونو د الماس تار د ټوټې کولو میتودونو ته مخه کړې، او د الماس تار بس بارونو قطر ټیټ او ټیټ کیږي.په 2021 کې ، د الماس تار بسبار قطر به 43-56 μm وي ، او د الماس تار بسبار قطر به د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو لپاره کارول کیږي خورا کم شي او کمیدو ته به دوام ورکړي.اټکل کیږي چې په 2025 او 2030 کې، د الماس د تار بسبارونو قطر به په ترتیب سره د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو پرې کولو لپاره کارول کیږي 36 μm او 33 μm وي، او د الماس تار بسبارونو قطر به د پولی کریسټالین سیلیکون پرې کولو لپاره کارول کیږي. او په ترتیب سره 51 μm.دا ځکه چې په پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو کې ډیری نیمګړتیاوې او ناپاکۍ شتون لري، او پتلي تارونه د ماتیدو خطر لري.له همدې امله ، د پولی کریسټالین سیلیکون ویفر پرې کولو لپاره د الماس تار بسبار قطر د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو په پرتله لوی دی ، او لکه څنګه چې د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو بازار ونډې په تدریجي ډول کمیږي ، دا د پولی کریسټالین سیلیکون لپاره کارول کیږي د سیلیکون قطر کمول. د ټوټو لخوا پرې شوي تار بسبارونه ورو شوي.
اوس مهال، سیلیکون ویفرونه په عمده توګه په دوه ډوله ویشل شوي دي: پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونه او مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونه.مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونه د اوږد خدمت ژوند او لوړ فوټو الیکټریک تبادلې موثریت ګټې لري.پولی کرسټالین سیلیکون ویفرونه د کرسټال دانې څخه جوړ شوي دي د مختلف کرسټال الوتکې اړخونو سره ، پداسې حال کې چې واحد کرسټال سیلیکون ویفرونه د پولی کریسټالین سیلیکون څخه د خامو موادو په توګه جوړ شوي او ورته کرسټال الوتکې موقعیت لري.په ظاهري بڼه، پولی کرسټال سیلیکون ویفرونه او واحد کرسټال سیلیکون ویفرونه نیلي - تور او تور - نسواري دي.څرنګه چې دواړه په ترتیب سره د پولی کریسټالین سیلیکون انګوټس او مونوکریسټالین سیلیکون راډونو څخه پرې شوي، شکلونه مربع او نیم مربع دي.د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو او مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو خدمت ژوند شاوخوا 20 کاله دی.که د بسته بندۍ طریقه او د کارولو چاپیریال مناسب وي، د خدمت ژوند کولی شي له 25 کلونو څخه زیات ته ورسیږي.په عموم کې ، د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو عمر د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو په پرتله یو څه اوږد دی.سربیره پردې ، د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونه هم د فوتو الیکټریک تبادلې موثریت کې یو څه ښه دي ، او د دوی بې ځایه کثافت او فلزي ناپاکتیا د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو په پرتله خورا کوچني دي.د مختلف فاکتورونو ګډ تاثیر د واحد کرسټالونو اقلیت کیریر ژوند د پولی کرسټال سیلیکون ویفرونو په پرتله لسګونه ځله لوړ کوي.پدې توګه د تبادلې موثریت ګټه ښیې.په 2021 کې، د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو ترټولو لوړ تبادله موثریت به شاوخوا 21٪ وي، او د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو به 24.2٪ ته ورسیږي.
د اوږد ژوند او لوړ تبادلې موثریت سربیره ، د مونوکریسټال سیلیکون ویفرونه د پتلو کولو ګټه هم لري ، کوم چې د سیلیکون مصرف او سیلیکون ویفر لګښتونو کمولو لپاره مناسب دی ، مګر د ټوټې کیدو نرخ زیاتوالي ته پاملرنه وکړئ.د سیلیکون ویفرونو پتلی کول د تولید لګښتونو کمولو کې مرسته کوي ، او د ټوټې کولو اوسنۍ پروسه کولی شي په بشپړ ډول د پتلی کولو اړتیاوې پوره کړي ، مګر د سیلیکون ویفرونو ضخامت باید د لاندې حجرو او اجزاو تولید اړتیاوې هم پوره کړي.په عموم کې ، په وروستي کلونو کې د سیلیکون ویفرونو ضخامت کم شوی ، او د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو ضخامت د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو په پرتله د پام وړ لوی دی.Monocrystalline سیلیکون ویفرونه نور په n-type سیلیکون ویفرونو او p-type سیلیکون ویفرونو ویشل شوي، پداسې حال کې چې د n-type سیلیکون ویفرونو کې په عمده توګه د TOPCon بیټرۍ کارول او د HJT بیټرۍ کارول شامل دي.په 2021 کې ، د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو اوسط ضخامت 178μm دی ، او په راتلونکي کې د غوښتنې نشتوالی به دوی د پتلی کیدو ته دوام ورکړي.له همدې امله، دا وړاندوینه کیږي چې ضخامت به د 2022 څخه تر 2024 پورې یو څه کم شي، او ضخامت به د 2025 وروسته شاوخوا 170μm ته پاتې شي؛د p-type monocrystalline سیلیکون ویفرونو اوسط ضخامت شاوخوا 170μm دی، او تمه کیږي چې دا به په 2025 او 2030 کې 155μm او 140μm ته راښکته شي. د n-ډول مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو په مینځ کې، د سیلیکون ویفر حجرو لپاره د کارول شوي سیلیکون ویفرونو ضخامت دی. 150μm، او د TOPcon حجرو لپاره کارول شوي n-type سیلیکون ویفرونو اوسط ضخامت 165μm دی.135μm
سربیره پردې ، د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو تولید د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو په پرتله ډیر سیلیکون مصرفوي ، مګر د تولید مرحلې نسبتا ساده دي ، کوم چې د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو ته د لګښت ګټې راوړي.پولی کریسټالین سیلیکون ، د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو او مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو لپاره د عام خام موادو په توګه ، د دواړو په تولید کې مختلف مصرف لري ، کوم چې د دواړو پاکوالي او تولید مرحلو کې د توپیر له امله دی.په 2021 کې، د پولی کریسټالین انګوټ سیلیکون مصرف 1.10 kg/kg دی.تمه کیږي چې د څیړنې او پراختیا محدوده پانګونه به په راتلونکي کې د کوچني بدلونونو لامل شي.د پل راډ سیلیکون مصرف 1.066 kg/kg دی، او د اصلاح کولو لپاره یو ځانګړی خونه شتون لري.تمه کیږي چې دا به په ترتیب سره په 2025 او 2030 کې 1.05 kg/kg او 1.043 kg/kg وي.د واحد کرسټال ایستلو پروسې کې ، د پلینګ راډ د سیلیکون مصرف کمول د پاکولو او کرش کولو زیان کمولو ، د تولید چاپیریال په کلکه کنټرول کولو ، د پرائمر تناسب کمولو ، د دقیق کنټرول ښه کولو او د طبقې اصلاح کولو سره ترلاسه کیدی شي. او د تخریب شوي سیلیکون موادو پروسس کولو ټیکنالوژي.که څه هم د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو سیلیکون مصرف خورا لوړ دی ، د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو تولید لګښت نسبتا لوړ دی ځکه چې پولی کریسټالین سیلیکون انګاټونه د ګرمو خټکي انګوټ کاسټینګ پواسطه تولید کیږي پداسې حال کې چې مونوکریسټالین سیلیکون انګاټونه معمولا د کریسټال واحد کریسټال په سست وده کې تولید کیږي. کوم چې نسبتا لوړ بریښنا مصرفوي.ټیټ.په 2021 کې، د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو اوسط تولید لګښت به شاوخوا 0.673 یوان/W وي، او د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو به 0.66 یوان/W وي.
لکه څنګه چې د سیلیکون ویفر ضخامت کمیږي او د الماس د تار بسبار قطر کمیږي ، په هر کیلوګرام کې د مساوي قطر سیلیکون راډونو تولید به ډیر شي ، او د ورته وزن واحد کرسټال سیلیکون راډونو شمیر به له دې څخه لوړ وي. د پولی کریسټالین سیلیکون ingots.د بریښنا په شرایطو کې ، د هر سیلیکون ویفر لخوا کارول شوي بریښنا د ډول او اندازې سره سم توپیر لري.په 2021 کې، د p-type 166mm اندازه monocrystalline مربع بارونو تولید په هر کیلوګرام کې شاوخوا 64 ټوټې دی، او د پولی کریسټالین مربع انګوټس تولید شاوخوا 59 ټوټې دی.د p ډوله واحد کرسټال سیلیکون ویفرونو کې ، د 158.75mm اندازه مونوکریسټالین مربع راډونو محصول په هر کیلوګرام کې شاوخوا 70 ټوټې دی ، د p - ډول 182mm اندازه واحد کرسټال مربع راډونو محصول په هر کیلوګرام کې شاوخوا 53 ټوټې دی ، او د p. -ډول 210mm اندازه واحد کرسټال راډونه په هر کیلوګرام کې شاوخوا 53 ټوټې دي.د مربع بار محصول شاوخوا 40 ټوټې دی.له 2022 څخه تر 2030 پورې ، د سیلیکون ویفرونو دوامداره پتلی کول به بې له شکه د ورته حجم د سیلیکون راډونو / انګوټونو شمیر ډیروالي لامل شي.د الماس تار د بسبار کوچنی قطر او د ذرې منځنۍ اندازه به هم د پرې کولو د زیانونو په کمولو کې مرسته وکړي، په دې توګه د تولید شویو ویفرونو شمیر ډیروي.مقداراټکل کیږي چې په 2025 او 2030 کې، د p-type 166mm اندازه monocrystalline مربع راډونو تولید په هر کیلوګرام کې شاوخوا 71 او 78 ټوټې وي، او د پولی کریسټالین مربع انګاټونو تولید شاوخوا 62 او 62 ټوټې وي، چې د ټیټ بازار له امله دی. د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو برخه دا ستونزمنه ده چې د پام وړ تخنیکي پرمختګ لامل شي.د سیلیکون ویفرونو مختلف ډولونو او اندازو په ځواک کې توپیر شتون لري.د اعلان شوي معلوماتو له مخې د 158.75mm سیلیکون ویفرونو اوسط بریښنا شاوخوا 5.8W / ټوټه ده ، د 166mm سیلیکون ویفرونو اوسط ځواک شاوخوا 6.25W / piece دی ، او د 182mm سیلیکون ویفرونو اوسط ځواک شاوخوا 6.25W / ټوټه دی .د سیلیکون ویفر د اندازې اوسط بریښنا شاوخوا 7.49W / ټوټه ده ، او د 210mm سیلیکون ویفر اوسط ځواک شاوخوا 10W / ټوټه ده.
په وروستیو کلونو کې، سیلیکون ویفرونه په تدریجي ډول د لوی اندازې په لور وده کړې، او لوی اندازه د یو واحد چپ ځواک زیاتولو لپاره مناسبه ده، په دې توګه د حجرو غیر سیلیکون لګښت کموي.په هرصورت ، د سیلیکون ویفرونو اندازې تنظیم کول هم اړتیا لري چې د پورته او ښکته جریان میچ کولو او معیاري کولو مسلو ته پام وکړي ، په ځانګړي توګه بار او لوړ اوسني مسلې.په اوس وخت کې، په بازار کې دوه کمپونه شتون لري چې د سیلیکون ویفر اندازې د راتلونکي پرمختګ لوري په اړه دي، د بیلګې په توګه د 182mm اندازه او 210mm اندازه.د 182mm وړاندیز په عمده ډول د عمودی صنعت ادغام له لید څخه دی ، د فوټوولټیک حجرو نصب او ترانسپورت په پام کې نیولو سره ، د ماډلونو ځواک او موثریت ، او د پورته او ښکته جریان ترمینځ همغږي؛پداسې حال کې چې 210mm اساسا د تولید لګښت او سیسټم لګښت له لید څخه دی.د 210mm سیلیکون ویفرونو تولید د واحد فرنس راډ ډراینګ پروسې کې 15٪ څخه ډیر شوی ، د ښکته جریان د بیټرۍ تولید لګښت شاوخوا 0.02 یوان/W کم شوی ، او د بریښنا سټیشن جوړولو ټول لګښت شاوخوا 0.1 یوان کم شوی. W.په راتلونکو څو کلونو کې، تمه کیږي چې د 166mm څخه ښکته سیلیکون ویفرونه به په تدریجي ډول له منځه یوسي؛د 210mm سیلیکون ویفرونو پورته او ښکته جریان سره سمون ستونزې به په تدریجي ډول په مؤثره توګه حل شي ، او لګښت به یو ډیر مهم فاکتور شي چې د تصدیو پانګوونې او تولید اغیزه کوي.له همدې امله ، د 210mm سیلیکون ویفرونو بازار ونډه به لوړه شي.ثابت لوړوالی؛د 182mm سیلیکون ویفر به د عمودی مدغم تولید کې د خپلو ګټو له مخې په بازار کې د اصلي جریان اندازه شي ، مګر د 210mm سیلیکون ویفر غوښتنلیک ټیکنالوژۍ پرمختګ سره ، 182mm به دې ته لاره هواره کړي.سربیره پردې ، په راتلونکو څو کلونو کې د لوی اندازې سیلیکون ویفرونو لپاره دا ستونزمنه ده چې په بازار کې په پراخه کچه وکارول شي ، ځکه چې د لوی اندازې سیلیکون ویفرونو د کار لګښت او نصبولو خطر به خورا ډیر شي ، کوم چې له امله یې مخنیوی ستونزمن دی. د تولید لګښتونو او سیسټم لګښتونو کې سپما..په 2021 کې، په بازار کې د سیلیکون ویفر اندازې شاملې دي 156.75mm، 157mm، 158.75mm، 166mm، 182mm، 210mm، او نور. د دوی په منځ کې، د 158.75mm او 166mm اندازه د 50٪ لپاره حساب شوې، او د 156mm اندازه. 5٪ ته راټیټ شوی، چې په تدریجي ډول به په راتلونکي کې ځای په ځای شي؛166mm ترټولو لوی اندازه حل دی چې د موجوده بیټرۍ تولید لاین لپاره لوړ کیدی شي، کوم چې په تیرو دوو کلونو کې به ترټولو لوی اندازه وي.د لیږد د اندازې له مخې، تمه کیږي چې د بازار ونډه به په 2030 کې له 2٪ څخه کم وي.د 182mm او 210mm ګډ اندازه به په 2021 کې 45٪ حساب کړي، او د بازار ونډه به په راتلونکي کې په چټکۍ سره وده ومومي.تمه کیږي چې په 2030 کې به د بازار ټوله برخه له 98٪ څخه زیاته شي.
په وروستي کلونو کې ، د مونوکریسټالین سیلیکون بازار ونډې زیاتیدو ته دوام ورکوي ، او دا په بازار کې اصلي جریان موقعیت لري.د 2012 څخه تر 2021 پورې، د مونوکریسټالین سیلیکون تناسب له 20٪ څخه کم 93.3٪ ته لوړ شوی، د پام وړ زیاتوالی.په 2018 کې، په بازار کې د سیلیکون ویفرونه په عمده توګه پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونه دي، چې د 50٪ څخه ډیر حساب کوي.اصلي دلیل دا دی چې د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو تخنیکي ګټې نشي کولی د لګښت زیانونه پوښي.له 2019 راهیسې ، لکه څنګه چې د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو فوتو الیکټریک تبادلې موثریت د پام وړ د پولی کریسټالین سیلیکون ویفرونو څخه ډیر شوی ، او د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو تولید لګښت د ټیکنالوژیک پرمختګ سره کمیدو ته دوام ورکوي ، د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو بازار برخه د سیلیکون وافرونو کیدو ته دوام ورکوي. په بازار کې اصلي جریان.محصولتمه کیږي چې د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو تناسب به په 2025 کې شاوخوا 96٪ ته ورسیږي، او د مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو بازار برخه به په 2030 کې 97.7٪ ته ورسیږي. (د راپور سرچینه: راتلونکي فکر ټانک)
1.3.بیټرۍ: د PERC بیټرۍ په بازار کې تسلط لري، او د این ډول بیټرۍ پراختیا د محصول کیفیت لوړوي
د فوټوولټیک صنعت سلسلې مینځنۍ مینځنۍ لینک کې د فوتوولټیک حجرې او د فوتوولټیک سیل ماډلونه شامل دي.په حجرو کې د سیلیکون ویفرونو پروسس کول د فوتو الیکټریک تبادلې احساس کولو کې ترټولو مهم ګام دی.دا د سیلیکون ویفر څخه د دودیز حجرې پروسس کولو لپاره شاوخوا اوه ګامونه اخلي.لومړی، د سیلیکون ویفر په هایدروفلوریک اسید کې واچوئ ترڅو د هغې په سطحه د پیرامیډ په څیر سابر جوړښت تولید کړي، په دې توګه د لمر د رڼا انعکاس کموي او د رڼا جذب زیاتوي؛دوهم فاسفورس د سیلیکون ویفر په یوه اړخ کې د PN جنکشن رامینځته کولو لپاره توزیع کیږي ، او کیفیت یې مستقیم د حجرې موثریت اغیزه کوي؛دریم د خپریدو مرحلې په جریان کې د سیلیکون ویفر په اړخ کې رامینځته شوی PN جنکشن لرې کول دي ترڅو د حجرې لنډ سرکټ مخه ونیسي؛د سیلیکون نایټریډ فلم یو پرت په هغه اړخ کې پوښل شوی چیرې چې PN جنکشن رامینځته شوی ترڅو د رڼا انعکاس کم کړي او په ورته وخت کې موثریت زیات کړي؛پنځم د سیلیکون ویفر په مخ او شا کې د فلزي الیکټروډونو چاپ کول دي ترڅو د فوتوولټیک لخوا رامینځته شوي اقلیمي کیریرونه راټول کړي.د چاپ په مرحله کې چاپ شوی سرکټ سینټر شوی او جوړ شوی، او دا د سیلیکون ویفر سره یوځای شوی، دا حجره ده؛په نهایت کې ، حجرې د مختلف وړتیاو سره طبقه بندي شوي.
کرسټالین سیلیکون حجرې معمولا د سیلیکون ویفرونو سره د سبسټریټ په توګه رامینځته کیږي ، او د سیلیکون ویفرونو ډول سره سم په p-ډول حجرو او n-ډول حجرو ویشل کیدی شي.د دوی په منځ کې، د n-ډول حجرې د تبادلې لوړ موثریت لري او په ورو ورو په وروستیو کلونو کې د p-ډول حجرو ځای نیسي.د P-ډول سیلیکون ویفرونه د بورون سره د سیلیکون د ډوپ کولو په واسطه جوړ شوي، او د n-ډول سیلیکون ویفرونه د فاسفورس څخه جوړ شوي دي.له همدې امله، د n-type سیلیکون ویفر کې د بورون عنصر غلظت ټیټ دی، په دې توګه د بورون-اکسیجن کمپلیکسونو د تړلو مخه نیسي، د سیلیکون موادو د لږکیو کیریر ژوند ته وده ورکوي، او په ورته وخت کې، د عکس السته راوړلو توقیف شتون نلري. په بیټرۍ کېبرسېره پر دې، د n-type minority carriers holes دي، د p-type minority carriers الکترونونه دي، او د سوراخونو لپاره د ډېرو ناپاکو اتومونو trapping cross-section د الکترونونو په پرتله کوچنی دی.له همدې امله، د n-type حجرې د اقلیمي وړونکي ژوند موده لوړه ده او د فوتو الیکټریک تبادلې کچه لوړه ده.د لابراتوار د معلوماتو له مخې، د p-type حجرو د تبادلې موثریت لوړ حد 24.5٪ دی، او د n-type حجرو د تبادلې موثریت تر 28.7٪ پورې دی، نو د n-type حجرې د راتلونکي ټیکنالوژۍ د پرمختګ لوري استازیتوب کوي.په 2021 کې، n-type حجرې (په عمده توګه د heterojunction حجرو او TOPcon حجرو په شمول) نسبتا لوړ لګښتونه لري، او د ډله ایز تولید کچه لاهم کوچنۍ ده.د اوسني بازار ونډه شاوخوا 3٪ ده، کوم چې اساسا په 2020 کې ورته دی.
په 2021 کې، د n-type حجرو د تبادلې موثریت به د پام وړ ښه شي، او تمه کیږي چې په راتلونکو پنځو کلونو کې به د ټیکنالوژیک پرمختګ لپاره ډیر ځای وي.په 2021 کې، د p-type monocrystalline حجرو په لویه پیمانه تولید به د PERC ټیکنالوژي کاروي، او د منځنۍ تبادلې موثریت به 23.1٪ ته ورسیږي، د 2020 په پرتله 0.3 فیصده زیاتوالی؛د PERC ټیکنالوژۍ په کارولو سره د پولی کریسټالین تور سیلیکون حجرو د تبادلې موثریت به د 2020 په پرتله 21.0٪ ته ورسیږي. د 0.2 سلنې ټکي کلنۍ زیاتوالی؛د دودیز پولی کریسټالین تور سیلیکون سیل موثریت وده قوي نه ده ، په 2021 کې به د تبادلې موثریت شاوخوا 19.5٪ وي ، یوازې 0.1 سلنه ټکي لوړ وي ، او د راتلونکي موثریت ښه کولو ځای محدود دی؛د ingot monocrystalline PERC حجرو د تبادلې اوسط موثریت 22.4٪ دی، کوم چې د مونوکریسټالین PERC حجرو په پرتله 0.7 سلنه ټیټ دی؛د n-type TOPcon حجرو اوسط تبادلې موثریت 24٪ ته رسیږي، او د هیټروجنکشن حجرو اوسط تبادلې موثریت 24.2٪ ته رسیږي، چې دواړه د 2020 په پرتله خورا ښه شوي، او د IBC حجرو اوسط تبادلې موثریت 24.2٪ ته رسیږي.په راتلونکي کې د ټیکنالوژۍ پراختیا سره، د بیټرۍ ټیکنالوژي لکه TBC او HBC هم ممکن پرمختګ ته دوام ورکړي.په راتلونکي کې، د تولید لګښتونو کمولو او د حاصلاتو د ښه والي سره، د بیټرۍ ډوله بیټرۍ به د بیټرۍ ټیکنالوژۍ یو له اصلي پرمختیا لارښوونو څخه وي.
د بیټرۍ ټیکنالوژۍ لارې له نظره، د بیټرۍ ټیکنالوژۍ تکراري تازه کول په عمده توګه د BSF، PERC، TOPCon له لارې د PERC پرمختګ پر بنسټ، او HJT، یوه نوې ټیکنالوژي چې د PERC تخریب کوي؛TOPCon کیدای شي د IBC سره یوځای شي ترڅو TBC جوړ کړي، او HJT هم د IBC سره یوځای کیدی شي ترڅو HBC شي.د P-type monocrystalline حجرې په عمده توګه د PERC ټیکنالوژي کاروي، د p-type polycrystalline حجرو کې د پولی کریسټالین تور سیلیکون حجرې او د ingot monocrystalline حجرې شاملې دي، وروستنۍ د دودیز پولی کریسټالین ingot پروسې پراساس د مونوکریسټالین تخم کرسټالونو اضافه کولو ته اشاره کوي، وروسته له دې چې سمتي ټینګښت. مربع سیلیکون انګوټ جوړ شوی، او یو سیلیکون ویفر چې د واحد کرسټال او پولی کریسټالین سره مخلوط شوی د یو لړ پروسس پروسو له لارې جوړ شوی.ځکه چې دا په لازمي ډول د پولی کریسټالین چمتو کولو لاره کاروي ، دا د p ډول پولی کریسټالین حجرو کټګورۍ کې شامل دی.د n-type حجرو کې په عمده توګه د TOPCon monocrystalline حجرې، HJT monocrystalline حجرې او IBC monocrystalline حجرې شاملې دي.په 2021 کې ، د ډله ایز تولید نوي لاینونه به لاهم د PERC حجرو تولید لاینونو تسلط ولري ، او د PERC حجرو بازار برخه به نوره هم 91.2٪ ته لوړه شي.لکه څنګه چې د بیروني او کورنیو پروژو لپاره د محصول غوښتنه په لوړ موثریت محصولاتو متمرکزه ده، د BSF بیټرۍ بازار ونډه به په 2021 کې له 8.8٪ څخه 5٪ ته راښکته شي.
1.4.ماډلونه: د حجرو لګښت د اصلي برخې لپاره حساب کوي، او د ماډلونو ځواک په حجرو پورې اړه لري
د فوتوولټیک ماډلونو تولید مرحلې په عمده ډول د حجرو یو بل سره نښلول او لامینیشن شامل دي، او حجرې د ماډل ټول لګښت لویه برخه حسابوي.څرنګه چې د یوې حجرې اوسنی او ولتاژ خورا کوچنی دی، حجرې باید د بس بارونو له لارې سره وصل شي.دلته، دوی د ولتاژ زیاتولو لپاره په سلسله کې وصل شوي، او بیا د لوړ اوسني ترلاسه کولو لپاره موازي سره وصل شوي، او بیا د فوټوولټیک شیش، ایوا یا POE، د بیټرۍ شیټ، ایوا یا POE، شاته پاڼه مهر شوي او په یو ځانګړي ترتیب کې تودوخه فشارول کیږي. ، او په نهایت کې د المونیم چوکاټ او سیلیکون سیل کولو څنډې لخوا خوندي شوی.د اجزاو د تولید لګښت جوړښت له نظره، د موادو لګښت د 75٪ لپاره حساب کوي، اصلي موقعیت لري، وروسته د تولید لګښت، د فعالیت لګښت او د کار لګښت.د موادو لګښت د حجرو لګښت لخوا رهبري کیږي.د ډیری شرکتونو اعلانونو سره سم، حجرې د فوتوولټیک ماډلونو ټول لګښت شاوخوا 2/3 برخه جوړوي.
د فوتوولټیک ماډلونه معمولا د حجرو ډول، اندازې او مقدار له مخې ویشل کیږي.د مختلفو ماډلونو په ځواک کې توپیرونه شتون لري، مګر دا ټول د ودې په مرحله کې دي.بریښنا د فوتوولټیک ماډلونو کلیدي شاخص دی، د ماډل وړتیا استازیتوب کوي چې د لمر انرژي په بریښنا بدلوي.دا د فوټوولټیک ماډلونو د مختلف ډولونو د بریښنا احصایې څخه لیدل کیدی شي چې کله په ماډل کې د حجرو اندازه او شمیر یو شان وي، د ماډل ځواک د n-type single crystal> p-type single crystal> پولی کریسټالین؛څومره چې اندازه او مقدار لوی وي ، د ماډل ځواک خورا لوی وي؛د TOPCon واحد کرسټال ماډلونو او د ورته ځانګړتیاو هیټروجنکشن ماډلونو لپاره، د وروستي ځواک ځواک د پخوانیو څخه ډیر دی.د CPIA وړاندوینې سره سم، د ماډل بریښنا به په راتلونکو څو کلونو کې په کال کې 5-10W زیاتوالی ومومي.سربیره پردې ، د ماډل بسته کول به د بریښنا یو ځانګړي ضایع راوړي ، په ځانګړي توګه د نظری ضایع او بریښنایی زیان په شمول.پخوانی د بسته بندۍ موادو لکه فوتوولټیک شیشې او ایوا د لیږد او نظری بې اتفاقۍ له امله رامینځته شوی ، او وروستی په عمده ډول په لړۍ کې د لمریز حجرو کارولو ته اشاره کوي.د ویلډینګ ربن او بس بار د مقاومت له امله رامینځته شوی سرکټ زیان او د حجرو موازي ارتباط له امله رامینځته شوي اوسني نابرابري زیان ، د دواړو بریښنا مجموعي ضایع شاوخوا 8٪ حسابوي.
1.5.د فوتوولټیک نصب ظرفیت: د مختلفو هیوادونو پالیسۍ په څرګنده توګه پرمخ وړل کیږي، او په راتلونکي کې د نوي نصب شوي ظرفیت لپاره لوی ځای شتون لري
نړۍ اساسا د چاپیریال ساتنې هدف لاندې د خالص صفر اخراج په اړه موافقې ته رسیدلې ، او د فوټوولټیک پروژو اقتصاد په تدریجي ډول راپورته شوی.هیوادونه په فعاله توګه د نوي کیدونکي انرژی بریښنا تولید پراختیا لټوي.په وروستیو کلونو کې، د نړۍ په ګوټ ګوټ کې هیوادونو د کاربن اخراج کمولو ژمنې کړې دي.د شنو خونو ګازونو ډیری لوی اخراج کونکي د نوي کیدونکي انرژي اړوند اهداف رامینځته کړي ، او د نوي کیدونکي انرژي نصب شوي ظرفیت خورا لوی دی.د 1.5 ℃ د تودوخې کنټرول هدف پر بنسټ، IRENA وړاندوینه کوي چې په 2030 کې به د نوي کیدونکي انرژۍ نړیوال نصب ظرفیت 10.8TW ته ورسیږي. سربیره پردې، د WOODMac معلوماتو سره سم، په چین، هند کې د لمریز بریښنا تولید د بریښنا کچه (LCOE) کچه. متحده ایالات او نور هیوادونه لا دمخه د ارزانه فوسیل انرژي څخه ټیټ دي ، او په راتلونکي کې به نور هم کم شي.په مختلفو هیوادونو کې د پالیسیو فعاله وده او د فوتوولټیک بریښنا تولید اقتصاد په وروستیو کلونو کې په نړۍ او چین کې د فوتوولټیکونو مجموعي نصب شوي ظرفیت کې د ثابت زیاتوالي لامل شوی.له 2012 څخه تر 2021 پورې به په نړۍ کې د فوتوولټیکونو مجموعي نصب ظرفیت له 104.3GW څخه 849.5GW ته لوړ شي او په چین کې به د فوتوولټیکونو مجموعي نصب ظرفیت له 6.7GW څخه 307GW ته لوړ شي، چې 44 ځله زیات شوی.سربیره پردې، د چین نوی نصب شوی فوټوولټیک ظرفیت د نړۍ د ټول نصب شوي ظرفیت 20٪ څخه ډیر جوړوي.په 2021 کې، د چین نوی نصب شوی فوتوولټیک ظرفیت 53GW دی، چې د نړۍ د نوي نصب شوي ظرفیت شاوخوا 40٪ جوړوي.دا په عمده توګه په چين کې د رڼا د انرژۍ د منابعو د پراخ او يو شان ويش، د ښه پرمختللی د پورته او ښکته خوا او د ملي تګلارو د قوي ملاتړ له امله دی.په دې موده کې چين د فوټوولټيک بريښنا د توليد په برخه کې ستر رول لوبولی دی او د نصبولو مجموعي ظرفيت يې له 6.5٪ څخه کم دی.36.14٪ ته پورته شو.
د پورته تحلیل پراساس، CPIA په ټوله نړۍ کې د 2022 څخه تر 2030 پورې د نوي زیات شوي فوټوولټیک تاسیساتو لپاره وړاندوینه کړې.اټکل کیږي چې په دواړو خوشبینو او محافظه کار شرایطو کې، په 2030 کې به د نړیوال نوي نصب شوي ظرفیت په ترتیب سره 366 او 315 ګیګاواټه وي، او د چین نوي نصب شوي ظرفیت به 128، 105 ګیګاواټه وي.لاندې به موږ هر کال د نوي نصب شوي ظرفیت پیمانه پراساس د پولیسیلیکون غوښتنې وړاندوینه وکړو.
1.6.د فوتوولټیک غوښتنلیکونو لپاره د پولیسیلیکون غوښتنې وړاندوینه
له 2022 څخه تر 2030 پورې، د دواړو خوشبینه او محافظه کار سناریوګانو لاندې د نړیوال نوي زیات شوي PV تاسیساتو لپاره د CPIA وړاندوینې پراساس ، د PV غوښتنلیکونو لپاره د پولیسیلیکون غوښتنې وړاندوینه کیدی شي.حجرې د فوتو الیکټریک تبادلې احساس کولو لپاره یو مهم ګام دی ، او سیلیکون ویفر د حجرو لومړني خام مواد دي او د پولیسیلیکون مستقیم جریان دي ، نو دا د پولیسیلیکون غوښتنې وړاندوینې یوه مهمه برخه ده.د هر کیلو ګرام سیلیکون راډونو او ټوټو وزن لرونکي شمیر د هر کیلو ګرام ټوټو له شمیر او د سیلیکون راډونو او انګټونو بازار ونډې څخه محاسبه کیدی شي.بیا ، د مختلف اندازو سیلیکون ویفرونو ځواک او بازار ونډې سره سم ، د سیلیکون ویفرونو وزن لرونکي ځواک ترلاسه کیدی شي ، او بیا د نوي نصب شوي فوټوولټیک ظرفیت سره سم د سیلیکون ویفرونو اړین شمیر اټکل کیدی شي.بیا، د اړتیا وړ سیلیکون راډونو او انګټونو وزن د سیلیکون ویفرونو شمیر او د سیلیکون راډونو او سیلیکون انګاټونو په هر کیلوګرام وزن کې د کمیتي اړیکې له مخې ترلاسه کیدی شي.د سیلیکون راډونو / سیلیکون انګوټس وزن لرونکي سیلیکون مصرف سره یوځای ، د نوي نصب شوي فوټوولټیک ظرفیت لپاره د پولیسیلیکون غوښتنه په پای کې ترلاسه کیدی شي.د وړاندوینې پایلو له مخې ، په تیرو پنځو کلونو کې د نوي فوتوولټیک تاسیساتو لپاره د پولیسیلیکون نړیواله غوښتنه به دوام ومومي ، په 2027 کې به لوړ شي ، او بیا به په راتلونکو دریو کلونو کې یو څه کم شي.اټکل کیږي چې په 2025 کې د خوشبینو او محافظه کار شرایطو لاندې، د فوتوولټیک تاسیساتو لپاره د پولیسیلیکون نړیواله کلنۍ غوښتنه به په ترتیب سره 1,108,900 ټنه او 907,800 ټنه وي، او په 2030 کې به د فوتوولټیک غوښتنلیکونو لپاره د پالیسیلیکون نړیواله غوښتنه به د 1,042 څخه تر 1,042 او 1,042 څخه تر مطلوب شرایطو لاندې وي .896,900 ټنه.د چین په ویناد نړیوال فوټوولټیک نصب ظرفیت تناسب،چین په 2025 کې د فوتوولټیک کارولو لپاره پولیسیلیکون غوښتنه کويتمه کیږي چې په ترتیب سره 369,600 ټنه او 302,600 ټنه د خوشبینۍ او محافظه کار شرایطو لاندې او په ترتیب سره 739,300 ټنه او 605,200 ټنه په بهر کې.
2د سیمیکمډکټر پای تقاضا: پیمانه د فوتوولټیک ساحه کې د غوښتنې په پرتله خورا کوچنۍ ده، او د راتلونکي ودې تمه کیدی شي
د فوتوولټیک حجرو جوړولو سربیره ، پولیسیلیکون د چپس جوړولو لپاره د خام موادو په توګه هم کارول کیدی شي او د سیمی کنډکټر په ډګر کې کارول کیږي ، کوم چې د موټرو تولید ، صنعتي بریښنایی ، بریښنایی مخابراتو ، د کور وسایلو او نورو برخو کې ویشل کیدی شي.له پولیسیلیکون څخه تر چپ پورې پروسه په عمده ډول په دریو مرحلو ویشل شوې ده.لومړی، پولی سیلیکون په مونوکریسټالین سیلیکون انګاټونو کې راښکته کیږي، او بیا په پتلی سیلیکون ویفرونو کې پرې کیږي.د سیلیکون ویفرونه د یو لړ پیسولو، چمفرینګ او پالش کولو عملیاتو له لارې تولید شوي.، کوم چې د سیمی کنډکټر فابریکې بنسټیز خام مواد دي.په نهایت کې ، سیلیکون ویفر پرې شوی او لیزر په مختلف سرکټ جوړښتونو کې نقاش شوی ترڅو د ځانګړو ځانګړتیاو سره چپ محصولات رامینځته کړي.عام سیلیکون ویفرونه په عمده ډول پالش شوي ویفرونه ، ایپیټیکسیل ویفرونه او SOI ویفرونه شامل دي.پالش ویفر د چپ تولید مواد دی چې د لوړ فلیټیت سره د سیلیکون ویفر د پالش کولو سره ترلاسه کیږي ترڅو په سطحه خراب شوي پرت لرې کړي ، کوم چې په مستقیم ډول د چپس ، ایپیټیکسیل ویفرونو او SOI سیلیکون ویفرونو جوړولو لپاره کارول کیدی شي.Epitaxial wafers د پالش شوي ویفرونو د epitaxial ودې په واسطه ترلاسه کیږي، پداسې حال کې چې د SOI سیلیکون ویفرونه د پولش ویفر سبسټراټونو کې د بانډ یا آئن امپلانټیشن لخوا جوړ شوي، او د چمتو کولو پروسه نسبتا ستونزمنه ده.
په 2021 کې د سیمیکمډکټر اړخ کې د پولیسیلیکون غوښتنې له لارې ، په راتلونکو څو کلونو کې د سیمیکمډکټر صنعت د ودې نرخ د ادارې وړاندوینې سره یوځای ، د 2022 څخه تر 2025 پورې د سیمیکمډکټر په ساحه کې د پولیسیلیکون غوښتنه نږدې اټکل کیدی شي.په 2021 کې ، د نړیوال بریښنایی درجې پولیسیلیکون تولید به د ټول پولیسیلیکون تولید شاوخوا 6٪ حساب کړي ، او د سولر درجې پولیسیلیکون او ګرانولر سیلیکون به شاوخوا 94٪ حساب کړي.ډیری بریښنایی درجې پولیسیلیکون د سیمیکمډکټر په ساحه کې کارول کیږي ، او نور پولیسیلیکون اساسا د فوتوولټیک صنعت کې کارول کیږي..له همدې امله ، دا فرض کیدی شي چې په 2021 کې د سیمیکمډکټر صنعت کې د کارول شوي پولیسیلیکون مقدار شاوخوا 37,000 ټنه دی.برسېره پر دې، د FortuneBusiness Insights لخوا وړاندوینه شوي د سیمیکمډکټر صنعت د راتلونکي مرکب ودې نرخ سره سم، د سیمیکمډکټر کارولو لپاره د پولیسیلیکون غوښتنه به د 2022 څخه تر 2025 پورې د 8.6٪ کلنۍ نرخ سره وده وکړي. اټکل کیږي چې په 2025 کې به د سیمیلیکون لپاره غوښتنه د سیمیکمډکټر په ساحه کې پولیسیلیکون به شاوخوا 51,500 ټنه وي.(د راپور سرچینه: د راتلونکي فکر ټانک)
3د پولیسیلیکون واردات او صادرات: واردات د صادراتو څخه ډیر دي، د آلمان او مالیزیا سره د لوړ تناسب حساب کوي
په 2021 کې به د چین د پولی سیلیکون غوښتنې شاوخوا 18.63٪ له وارداتو څخه راشي او د وارداتو کچه به د صادراتو کچې څخه ډیره وي.له 2017 څخه تر 2021 پورې، د پولی سیلیکون واردات او صادراتو بڼه د وارداتو تر حاکمیت لاندې ده، کوم چې ممکن د فوټوولټیک صنعت لپاره د قوي ښکته غوښتنې له امله وي چې په وروستیو کلونو کې ګړندۍ وده کړې ، او د پولیسیلیکون لپاره د هغې غوښتنې له 94٪ څخه ډیر حساب کوي. ټوله غوښتنهسربیره پردې ، شرکت لاهم د لوړ پاکوالي بریښنایی درجې پولیسیلیکون تولید ټیکنالوژۍ کې مهارت نه لري ، نو د مدغم سرکټ صنعت لخوا اړین ځینې پولیسیلیکون لاهم په وارداتو تکیه کولو ته اړتیا لري.د سیلیکون د صنعت د څانګې د معلوماتو له مخې، د وارداتو حجم په 2019 او 2020 کې کمیدو ته دوام ورکړ. په 2019 کې د پولیسیلیکون وارداتو د کمیدو بنسټیز لامل د تولید ظرفیت کې د پام وړ زیاتوالی و چې په 2018 کې د 388,000 ټنو څخه 5020020 ته لوړ شو. په 2019 کې. په ورته وخت کې، OCI، REC، HANWHA ځینې بهرني شرکتونه، لکه ځینې بهرني شرکتونه، د پولیسیلیکون صنعت څخه د زیانونو له امله وتلي، نو د پولیسیلیکون وارداتو انحصار خورا ټیټ دی؛که څه هم په 2020 کې د تولید ظرفیت نه دی لوړ شوی، د وبا اغیزې د فوتوولټیک پروژو په جوړولو کې د ځنډ لامل شوي، او په ورته موده کې د پولیسیلیکون امرونو شمیر کم شوی.په 2021 کې، د چین فوټوولټیک بازار به په چټکۍ سره وده وکړي، او د پولیسیلیکون ښکاره مصرف به 613,000 ټنو ته ورسیږي، چې د وارداتو حجم به بیرته راګرځي.په تېرو پنځو کلونو کې د چين د پولي سليکون د وارداتو اندازه له ۹۰ زرو څخه تر ۱۴۰ زره ټنو پورې وه چې له دې جملې څخه په ۲۰۲۱ کال کې شاوخوا ۱۰۳۸۰۰ ټنه وو. تمه ده چې له ۲۰۲۵ کال څخه تر ۲۰۲۵ کال پورې به د چين د خالص پولي سليکون واردات په کال کې شاوخوا سل زره ټنه پاتې شي.
د چین د پولسیلیکون واردات په عمده توګه له آلمان، مالیزیا، جاپان او تایوان، چین څخه راځي او له دغو څلورو هیوادونو څخه به په 2021 کال کې ټولټال 90.51٪ واردات وي. د چین د پولیسیلیکون واردات شاوخوا 45٪ له آلمان څخه، 26٪ له مالیزیا څخه راځي. 13.5٪ له جاپان څخه، او 6٪ له تایوان څخه.آلمان د نړۍ د پولیسیلیکون لوی WACKER مالکیت لري، کوم چې د بهرنی پولیسیلیکون ترټولو لویه سرچینه ده، چې په 2021 کې د ټول نړیوال تولید ظرفیت 12.7٪ جوړوي؛مالیزیا د سویلي کوریا د OCI شرکت څخه د پولیسیلیکون تولید لینونو لوی شمیر لري ، کوم چې په مالیزیا کې د توکیوما د اصلي تولید لین څخه سرچینه اخلي ، د جاپاني شرکت OCI لخوا اخیستل شوی.دلته فابریکې او ځینې فابریکې شتون لري چې OCI له سویلي کوریا څخه مالیزیا ته لیږدول شوي.د ځای پر ځای کیدو دلیل دا دی چې مالیزیا د فابریکې وړیا ځای چمتو کوي او د بریښنا لګښت د سویلي کوریا په پرتله یو پر دریمه کم دی.جاپان او تایوان، چین د توکویاما، GET او نور شرکتونه لري، چې د پولیسیلیکون تولید لویه برخه لري.یو ځای.په 2021 کې، د پولیسیلیکون تولید به 492,000 ټنه وي، چې د نوي نصب شوي فوتوولټیک ظرفیت او د چپ تولید غوښتنه به په ترتیب سره 206,400 ټنه او 1,500 ټنه وي، او پاتې 284,100 ټنه به په عمده توګه د زیرمو پروسس کولو او بهر ته صادراتو لپاره وکارول شي.د پولی سیلیکون لاندې لینکونو کې ، سیلیکون ویفرونه ، حجرې او ماډلونه په عمده ډول صادریږي ، چې له دې جملې څخه د ماډلونو صادرات په ځانګړي توګه څرګند دي.په 2021 کې ، 4.64 ملیارد سیلیکون ویفرونه او 3.2 ملیارد فوتوولټیک حجرې شتون درلود.صادر شویله چین څخه، په ترتیب سره د 22.6GW او 10.3GW ټول صادرات سره، او د فوتوولټیک ماډلونو صادرات 98.5GW دي، د ډیرو لږو وارداتو سره.د صادراتو ارزښت جوړښت له مخې، په 2021 کې د ماډل صادرات به 24.61 ملیارد ډالرو ته ورسیږي، چې 86٪ جوړوي، وروسته د سیلیکون ویفرونه او بیټرۍ.په 2021 کې ، د سیلیکون ویفرونو ، فوتوولټیک حجرو او فوتوولټیک ماډلونو نړیوال محصول به په ترتیب سره 97.3٪ ، 85.1٪ او 82.3٪ ته ورسیږي.تمه کیږي چې نړیوال فوټوولټیک صنعت به په راتلونکو دریو کلونو کې په چین کې تمرکز ته دوام ورکړي او د هر لینک تولید او صادراتو حجم به د پام وړ وي.له همدې امله ، اټکل کیږي چې له 2022 څخه تر 2025 پورې به د پولی سیلیکون مقدار چې د لاندې محصولاتو پروسس او تولید لپاره کارول کیږي او بهر ته صادریږي په تدریجي ډول به وده وکړي.دا د بهرني پولیسیلیکون غوښتنې څخه د بهرني تولید کمولو سره اټکل کیږي.په 2025 کې، پولی سیلیکون به د لاندې محصولاتو پروسس کولو له لارې تولید شي، اټکل کیږي چې 583,000 ټنه به له چین څخه بهرنیو هیوادونو ته صادر کړي.
4، لنډیز او Outlook
د نړیوال پولیسیلیکون تقاضا په عمده توګه د فوتوولټیک ساحه کې متمرکزه ده، او د سیمیکمډکټر ساحه کې تقاضا د شدت ترتیب نه دی.د پولیسیلیکون غوښتنه د فوتوولټیک تاسیساتو لخوا پرمخ وړل کیږي ، او په تدریجي ډول د فوتوولټیک ماډلونو - سیل ویفر لینک له لارې پولیسیلیکون ته لیږدول کیږي ، د دې لپاره غوښتنې رامینځته کوي.په راتلونکي کې، د نړیوال فوتوولټیک نصب ظرفیت پراخولو سره، د پولیسیلیکون غوښتنه عموما خوشبینه ده.په خوشبینه توګه، په چین او بهر کې نوي زیات شوي PV تاسیسات چې په 2025 کې د پولیسیلیکون غوښتنې لامل کیږي په ترتیب سره به 36.96GW او 73.93GW وي، او د محافظه کار شرایطو لاندې غوښتنه به په ترتیب سره 30.24GW او 60.49GW ته ورسیږي.په 2021 کې ، د نړیوال پولیسیلیکون عرضه او تقاضا به سخت وي ، چې پایله به یې د نړیوال پولیسیلیکون نرخونه لوړ وي.دا وضعیت ممکن تر 2022 پورې دوام وکړي، او په تدریجي ډول د 2023 څخه وروسته د کم عرضه کولو مرحلې ته وګرځي. د 2020 په دویمه نیمایي کې، د ناروغۍ اغیزې کمزورې پیل شوې، او د تولید لاندې پراختیا د پولیسیلیکون غوښتنې ته وده ورکړه، او یو شمیر مخکښو شرکتونو پالن جوړ کړ. تولید پراخ کړي.په هرصورت، د یو نیم کال څخه زیات د پراختیا دوره د 2021 او 2022 په پای کې د تولید ظرفیت خوشې کولو په پایله کې، په پایله کې په 2021 کې د 4.24٪ زیاتوالی المل شو. د 10,000 ټنو عرضه کولو تشه شتون لري، نو قیمتونه لوړ شوي. په چټکۍ سرهوړاندوینه کیږي چې په 2022 کې ، د فوټوولټیک نصب شوي ظرفیت د خوشبینۍ او محافظه کار شرایطو لاندې ، د عرضې او تقاضا واټن به په ترتیب سره -156,500 ټنه او 2,400 ټنه وي ، او ټول عرضه به لاهم د نسبتا لنډ عرضه کولو په حالت کې وي.په 2023 او هاخوا کې ، نوې پروژې چې د 2021 په پای کې او د 2022 په پیل کې یې جوړونه پیل کړې به تولید پیل کړي او د تولید ظرفیت کې به لوړوالی ترلاسه کړي.عرضه او تقاضا به په تدریجي ډول کم شي، او قیمتونه به د ټیټ فشار لاندې وي.په تعقیب کې، د نړیوالې انرژۍ په بڼه کې د روسیې او اوکراین د جګړې اغیزو ته باید پاملرنه وشي، کوم چې ممکن د نوي نصب شوي فوټوولټیک ظرفیت لپاره نړیوال پلان بدل کړي، کوم چې د پولیسیلیکون غوښتنې اغیزه کوي.
(دا مقاله یوازې د UrbanMines پیرودونکو ته د حوالې لپاره ده او د پانګوونې مشورې استازیتوب نه کوي)